日本 NIDEC 尼得科 C-FAP-DT 可回收式过电流保护装置
日本 NIDEC 尼得科 C-FAP-DT 可回收式过电流保护装置公式半导体 （MOSFET）包DFN （最小 SMD 封装）绝对最大额定值Vimp：650 ~ 850 V / Vrms：300 ~ 425 V触发电流最小 100 ~ 500 mA / 最大 200 ~ 1000 mA触发电流方向单向内置电路数2 个电路标准UL 认证产品大小5.00 × 5.00 毫米用法以太网端口、保护模块和加
日本 NIDEC 尼得科 C-FAP-DT 可回收式过电流保护装置
| 公式 | 半导体 （MOSFET） |
|---|---|
| 包 | DFN （最小 SMD 封装） |
| 绝对最大额定值 | Vimp：650 ~ 850 V / Vrms：300 ~ 425 V |
| 触发电流 | 最小 100 ~ 500 mA / 最大 200 ~ 1000 mA |
| 触发电流方向 | 单向 |
| 内置电路数 | 2 个电路 |
| 标准 | UL 认证产品 |
| 大小 | 5.00 × 5.00 毫米 |
| 用法 | 以太网端口、保护模块和加密狗、 过程控制设备、测试和测量设备、通用电子元件 |